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半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 专利
专利号: JP2007184627A, 申请日期: 2007-07-19, 公开日期: 2007-07-19
作者:  立田 英明;  竹川 浩;  堀尾 隆昭;  弓達 新治
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半导体激光器的制造方法 专利
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
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半导体激光器的制造方法 专利
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
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発振波長可変半導体レーザ 专利
专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
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光半導体装置 专利
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者:  山田 光志;  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
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リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999202274A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  山田 光志;  中村 幸治;  堀川 英明
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半導体光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999204879A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  山内 義則;  堀川 英明
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集積型半導体光素子 专利
专利号: JP1999135876A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  堀川 英明
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変調器集積化半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子;  堀川 英明
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999087851A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
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