| 半導体光素子及びその製造方法 | |
| 山内 義則; 堀川 英明 | |
| 1999-07-30 | |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 专利号 | JP1999204879A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子の抵抗、容量の低減化を図ることができ、高速変調が可能な半導体光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 p-InPクラッド層9を狭窄化する時に、Fe-InP電流ブロック層6の上に形成したInGaAsP層8をエッチングストップ層として利用することにより、InPだけを選択的にエッチングする。また、選択エッチングが可能なことにより、p-InPクラッド層9を逆メサ形状にする。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-01-14 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76690]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 義則,堀川 英明. 半導体光素子及びその製造方法. JP1999204879A. 1999-07-30. |
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