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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利 专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16 作者: 中塚 慎一; 野本 悦子; 上島 研一; 宮内 恵一; 加藤 佳秋
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| 半導体レーザ素子及びその作製法 专利 专利号: JP1999145553A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者: 中塚 慎一; 野本 悦子; 上島 研一; 加藤 佳秋
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| 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25 作者: 山下 茂雄; 依田 亮吉; 加藤 佳秋; 佐々木 真二; 苅田 秀孝
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| 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25 作者: 山下 茂雄; 加藤 佳秋; 佐々木 真二; 依田 亮吉; 苅田 秀孝
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP1994037389A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10 作者: 加藤 佳秋; 奥山 高康; 苅田 秀孝; 古越 堅司; 柏田 泰利
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