| 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| 中塚 慎一; 野本 悦子; 上島 研一; 宮内 恵一; 加藤 佳秋 | |
| 2000-05-16 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP2000138419A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】本願発明は、簡便な方法によって、半導体光装置の導波路構造及び電流狭窄構造を合わせ実現する。 【解決手段】本願発明は、燐をV族元素の内の元素として含有する化合物半導体材料、あるいは窒素をV族元素の内の元素として含有する化合物半導体材料が、外部からの不純物の導入によって、屈折率変化を生ぜしめると共に当該化合物半導体材料を高抵抗値に確保し、導波路構造及び電流狭窄構造を合わせ実現せんとする。本願発明によれば半導体レーザ素子の出力を出力以外の特性を劣化させずに大幅に向上させることができる。 |
| 公开日期 | 2000-05-16 |
| 申请日期 | 1998-11-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84067]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,野本 悦子,上島 研一,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000138419A. 2000-05-16. |
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