| 半導体レーザ素子及びその作製法 | |
| 中塚 慎一; 野本 悦子; 上島 研一; 加藤 佳秋 | |
| 1999-05-28 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1999145553A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力の窓構造半導体レーザを再現性よく実現する。 【解決手段】 端面部のレーザストライプの周辺に亜鉛拡散を行い、混晶化領域の周辺への広がりを利用して窓構造を形成する。 【効果】 他のレーザ特性を劣化させずに良好な窓構造を形成できる。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,野本 悦子,上島 研一,等. 半導体レーザ素子及びその作製法. JP1999145553A. 1999-05-28. |
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