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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3403247B2, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-05-06
作者:  伊地知 哲朗;  大久保 典雄
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3133555B2, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2001-02-13
作者:  岩井 則広;  伊地知 哲朗
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP3033664B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17
作者:  伊地知 哲朗
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1999008438A, 申请日期: 1999-01-12, 公开日期: 1999-01-12
作者:  伊地知 哲朗
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1996018155A, 申请日期: 1996-01-19, 公开日期: 1996-01-19
作者:  大久保 典雄;  伊地知 哲朗
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1995030199A, 申请日期: 1995-01-31, 公开日期: 1995-01-31
作者:  伊地知 哲朗;  入川 理徳;  ランジット エス マンド;  ジミー スー
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994350193A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22
作者:  池谷 晃;  伊地知 哲朗;  菊田 俊夫
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994232502A, 申请日期: 1994-08-19, 公开日期: 1994-08-19
作者:  岩井 則広;  伊地知 哲朗
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994188510A, 申请日期: 1994-07-08, 公开日期: 1994-07-08
作者:  伊地知 哲朗;  菊田 俊夫
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1994125140A, 申请日期: 1994-05-06, 公开日期: 1994-05-06
作者:  岩井 則広;  伊地知 哲朗
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