| 半導体レーザ装置 | |
| 伊地知 哲朗; 大久保 典雄 | |
| 2003-02-28 | |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 专利号 | JP3403247B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光学損傷の発生が防止された半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 InGaAsよりなる歪量子井戸層が活性層としてGaAs基板上に形成され、平行する二つの劈開面よりなる共振器が形成されている半導体レーザ装置において、共振器面にInGaP層よりなる光学損傷抑制層が形成されている半導体レーザ装置である。 |
| 公开日期 | 2003-05-06 |
| 申请日期 | 1994-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗,大久保 典雄. 半導体レーザ装置. JP3403247B2. 2003-02-28. |
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