| 半導体レーザ素子 | |
| 岩井 則広; 伊地知 哲朗 | |
| 1994-08-19 | |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 专利号 | JP1994232502A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光出力が大きく、製造歩留りが高い半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 基板11上に量子井戸層を含む活性層13を設けた半導体レーザ素子において、活性層13の少なくとも片面に、基板よりも格子定数が小さいクラッド層17を接するように設け、該クラッド層17の発振方向に直交する方向の幅を、端面近傍において他の部分よりも広くする。 |
| 公开日期 | 1994-08-19 |
| 申请日期 | 1993-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,伊地知 哲朗. 半導体レーザ素子. JP1994232502A. 1994-08-19. |
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