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半导体激光元件 专利
专利号: CN103855604B, 申请日期: 2019-06-07, 公开日期: 2019-06-07
作者:  三好隆
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第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 专利
专利号: CN103668460B, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2016-09-21
作者:  林昌弘;  佐藤隆;  木村千春;  三好直哉;  村上明繁
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氮化物半导体激光二极管 专利
专利号: CN102474077A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者:  三好隆
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半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法 专利
专利号: JP2007080964A, 申请日期: 2007-03-29, 公开日期: 2007-03-29
作者:  三好 隆一
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ダイボンディング装置 专利
专利号: JP1997307192A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者:  本多 正行;  ▲秦▼ 良廣;  玉石 正幸;  三好 隆一
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