| 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 | |
| 林昌弘; 佐藤隆; 木村千春; 三好直哉; 村上明繁; 三宅信辅; 和田纯一; 皿山正二 | |
| 2016-09-21 | |
| 著作权人 | 株式会社理光 |
| 专利号 | CN103668460B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。 |
| 公开日期 | 2016-09-21 |
| 申请日期 | 2013-09-13 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48300]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林昌弘,佐藤隆,木村千春,等. 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法. CN103668460B. 2016-09-21. |
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