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A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:  Jiang, Kaizhe;  Zhang, Xiaodong;  Tian, Chuan;  Zhang, Shengrong;  Zheng, Liqiang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/10/07
Investigations on Breakdown Voltage of Trench-gate-type Super Barrier Rectifier with Stepped Oxide 期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2185
作者:  Xu,Dalin;  Wang,Yuqi;  Li,Xinhua;  Shi,Tongfei
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/03/21
Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70
作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/04/26
Method and structure to eliminate substrate coupling in common drain devices 专利
专利号: US20190206741A1, 申请日期: 2019-07-04, 公开日期: 2019-07-04
作者:  PODDAR, ANINDYA;  CHAUDHRY, USMAN MAHMOOD;  THU, TRAN KIET;  CHOWDHURY, MAHMUD HALIM;  SMEYS, PETER
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30
A Novel Trench Gate MOS Turn-off GCT Structure 会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:  Wang, Cailin;  Wu, Yun;  Yang, Jing;  Ge, Jingtao
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20
一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: US10115804, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2015-11-12
作者:  王桂磊;  李俊峰;  刘金彪;  赵超
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27
堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: US9892912, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-08-13
作者:  殷华湘;  秦长亮;  付作振;  马小龙;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/09/18
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/05/07
An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars 期刊论文
2017, 卷号: 112, 页码: 269-278
作者:  Yang, Dong[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Huang, Ye[1,2];  Yuan, Qi[1,2]
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