A Novel Trench Gate MOS Turn-off GCT Structure | |
Wang, Cailin; Wu, Yun; Yang, Jing; Ge, Jingtao | |
2019 | |
会议名称 | 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC) |
会议日期 | 2019-01-01 |
关键词 | Gate commutated thyristor (GCT) MOS turn-off trench gate |
URL标识 | 查看原文 |
WOS记录号 | WOS:000483036000206 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4968213 |
专题 | 西安理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Cailin,Wu, Yun,Yang, Jing,et al. A Novel Trench Gate MOS Turn-off GCT Structure[C]. 见:2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC). 2019-01-01. |
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