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半导体器件制造方法 专利
专利号: US9425288, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2014-01-09
作者:  钟汇才;  梁擎擎;  赵超
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9012965, 申请日期: 2015-04-21, 公开日期: 2012-07-19
作者:  罗军;  赵超
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US8658485, 申请日期: 2014-02-25, 公开日期: 2011-06-03
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
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Performance Investigation on the Reconfigurable Si Nanowire Schottky Barrier Transistors 其他
2012-01-01
Wang, Juncheng; Du, Gang; Lun, Zhiyuan; Wei, Kangliang; Zeng, Lang; Liu, Xiaoyan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Performance Investigation on p-Type Si-, Ge-, and Ge-Si Core-Shell Nanowire Schottky Barrier Transistors 其他
2011-01-01
Pu, Jing; Sun, Lei; Han, Ru-Qi
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Performance investigation on p-type Si-, Ge-, and Ge-Si core-shell nanowire schottky barrier transistors 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2011
Pu, Jing; Sun, Lei; Han, Ru-Qi
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Design consideration of ion implantation in dopant segregation technique at NiSi/Si interface 其他
2010-01-01
Guo, Yue; An, Xia; Huang, Ru; Zhang, Xing
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13
The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique 期刊论文
chinese physics b, 2009
An Xia; Fan Chun-Hui; Huang Ru; Guo Yue; Xu Cong; Zhang Xing; Wang Yang-Yuan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10
Impact of Line-Edge Roughness on Double-Gate Schottky-Barrier Field-Effect Transistors 期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2009
Yu, Shimeng; Zhao, Yuning; Zeng, Lang; Du, Gang; Kang, Jinfeng; Han, Ruqi; Liu, Xiaoyan
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10
Schottky barrier MOSFET structure with silicide source/drain on buried metal 期刊论文
中国物理英文版, 2007
Li Ding-Yu; Sun Lei; Zhang Sheng-Dong; Wang Yi; Liu Xiao-Yan; Han Ru-Qi
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