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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Sub-10 nm low current resistive switching behavior in hafnium oxide stack 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016 Hou, Y.; Celano, U.; Goux, L.; Liu, L.; Fantini, A.; Degraeve, R.; Youssef, A.; Xu, Z.; Cheng, Y.; Kang, J.; Jurczak, M.; Vandervorst, W. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 TIO2 THIN-FILMS  OF-VIEW  DEVICE  MEMORY  RERAM  RRAM   Multimode resistive switching in nanoscale hafnium oxide stack as studied by atomic force microscopy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016 Hou, Y.; Celano, U.; Goux, L.; Liu, L.; Degraeve, R.; Cheng, Y.; Kang, J.; Jurczak, M.; Vandervorst, W. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/04 FILAMENT  DEVICES  MEMORY   A Physics-Based Compact Model of Metal-Oxide-Based RRAM DC and AC Operations 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2013 Huang, Peng; Liu, Xiao Yan; Chen, Bing; Li, Hai Tong; Wang, Yi Jiao; Deng, Ye Xin; Wei, Kang Liang; Zeng, Lang; Gao, Bin; Du, Gang; Zhang, Xing; Kang, Jin Feng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Circuit simulation  compact model  conduction of resistive-switching random access memory (RRAM)  conductive filament&apos  parasitic effect  pulse mode  resistive switching  RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES  DEVICE  s evolution