QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine 期刊论文 中国科学A辑（英文版）, 2002, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 655-660 作者:  Xu XG(徐现刚);  Cui DL(崔得良);  Tang Z(唐喆);  Hao XP(郝霄鹏);  K.Heime 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/14 MOVPE  InGaAs/InP  strain  TBAs  TBP   Kinetic modeling of n incorporation in gainnas growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 214-216 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Zhang, W;  Lin, YW;  Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Kinetic modeling of N incorporation in GaInNAs growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 214-216 Pan Z; Li LH; Zhang W; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE PULSED OPERATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODE  TERTIARYBUTYLARSINE  GAAS   Method for p-doping of a light-emitting device 专利 专利号: US5547898, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20 作者:  GRODZINSKI, PIOTR;  LEE, HSING-CHUNG;  SHIEH, CHAN-LONG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24