InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine | |
Xu XG(徐现刚); Cui DL(崔得良); Tang Z(唐喆); Hao XP(郝霄鹏); K.Heime | |
刊名 | 中国科学A辑(英文版)
![]() |
2002 | |
卷号 | 45期号:5页码:655-660 |
关键词 | MOVPE InGaAs/InP strain TBAs TBP |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6779091 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China 2.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu XG,Cui DL,Tang Z,et al. InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine[J]. 中国科学A辑(英文版),2002,45(5):655-660. |
APA | Xu XG,Cui DL,Tang Z,Hao XP,&K.Heime.(2002).InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine.中国科学A辑(英文版),45(5),655-660. |
MLA | Xu XG,et al."InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine".中国科学A辑(英文版) 45.5(2002):655-660. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论