| InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine | |
| Xu XG(徐现刚); Cui DL(崔得良); Tang Z(唐喆); Hao XP(郝霄鹏); K.Heime | |
| 刊名 | 中国科学A辑（英文版）
 |
| 2002 | |
| 卷号 | 45期号:5页码:655-660 |
| 关键词 | MOVPE InGaAs/InP strain TBAs TBP |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6779091 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China 2.Stt. Key Lab. of Crystal Materials, Shandong University |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu XG,Cui DL,Tang Z,et al. InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine[J]. 中国科学A辑（英文版）,2002,45(5):655-660. |
| APA | Xu XG,Cui DL,Tang Z,Hao XP,&K.Heime.(2002).InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine.中国科学A辑（英文版）,45(5),655-660. |
| MLA | Xu XG,et al."InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine".中国科学A辑（英文版） 45.5(2002):655-660. |
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