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Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well p-MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 卷号: 37
作者:
Wen Jiao[1]
;
Liu Qiang[2]
;
Liu Chang[3]
;
Wang Yize[4]
;
Zhang Bo[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
quantum-well
hole mobility
Coulomb scattering
Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118
作者:
Wen, Jiao[1]
;
Liu, Qiang[2]
;
Liu, Chang[3]
;
Wang, Yize[4]
;
Zhang, Bo[5]
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
Quantum-well
Ion-sensitive field-effect transistor
Voltage sensitivity
High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215
作者:
Liu, Chang[1]
;
Wen, Jiao[2]
;
Yu, Wenjie[3]
;
Zhang, Bo[4]
;
Xue, Zhongying[5]
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
Quantum-well
Gate-last
Hole mobility
The study of temperature dependent strain in Ge epilayer with SiGe/Ge buffer layer on Si substrate with different thickness
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4884063, 2014
Wu, Po-Hung
;
Huang, Ying-Sheng
;
Hsu, Hung-Pin
;
Li, Cheng
;
Huang, Shi-Hao
;
Tiong, Kwong-Kau
;
李成
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
QUANTUM-WELL STRUCTURES
THERMAL-EXPANSION
ROOM-TEMPERATURE
ON-INSULATOR
WAVE-GUIDE
GERMANIUM
SILICON
SPECTROSCOPY
EDGE
GAAS
Self-mask fabrication of uniformly orientated SiGe island/SiGe/Si hetero-nanowire arrays with controllable sizes
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1039/c3tc31306a, 2013
Qi, Dongfeng
;
Liu, Hanhui
;
Gao, Wei
;
Sun, Qinqin
;
Chen, Songyan
;
Huang, Wei
;
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
;
陈松岩
;
黄巍
;
李成
;
赖虹凯
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
COUPLED QUANTUM DOTS
SILICON NANOWIRES
CONTROLLED GROWTH
SOLAR-CELLS
GE
SI(001)
SURFACE
INTEGRATION
MECHANISMS
DEVICES
Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究
期刊论文
2012
陈城钊
;
陈阳华
;
黄诗浩
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/05/17
能带工程理论
Ge/SiGe
量子阱
室温荧光(PL)光谱
energy band engineering theory
Ge/SiGe
quantum well
room temperature photoluminescence(PL) spectra
Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760
Yu, W
;
Zhang, B
;
Zhao, QT
;
Buca, D
;
Hartmann, JM
;
Luptak, R
;
Mussler, G
;
Fox, A
;
Bourdelle, KK
;
Wang, X
;
Mantl, S
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/04/17
Hole mobility
quantum well (QW)
SiGe
strained Si (sSi)
Energy band design for p-type tensile strained Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s11801-011-0164-2, 2011
Li, Jin-tao
;
Chen, Song-yan
;
Qi, Dong-feng
;
Huang, Wei
;
Li, Cheng
;
Lai, Hong-kai
;
陈松岩
;
黄巍
;
李成
;
赖虹凯
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Band structure
Germanium
Infrared detectors
Optoelectronic devices
Semiconductor quantum wells
赝衬底Ge组分对Si/SiGe量子阱子带光跃迁的影响
学位论文
2011, 2011
李金涛
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/02/14
Si/SiGe量子阱
量子阱红外探测器
光跃迁矩阵元
Si/SiGe quantum well
QWIP
momentum matrix element
空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取
期刊论文
2010, 2010
熊晨荣
;
王燕
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陈培毅
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余志平
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XIONG Chenrong
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WANG Yan
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CHEN Peiyi
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YU Zhiping
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