| 题名 | 赝衬底Ge组分对Si/SiGe量子阱子带光跃迁的影响; The influence of the Ge component in pseudosubstrate on the Si/SiGe subband optical transition in quantum well |
| 作者 | 李金涛 |
| 答辩日期 | 2011 ; 2011 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | Si/SiGe量子阱 量子阱红外探测器 光跃迁矩阵元 Si/SiGe quantum well QWIP momentum matrix element |
| 英文摘要 | 近几十年来，中远红外光电探测器因越来越广泛的应用而受到极大的重视，Ⅲ-Ⅴ族化合物（以GaAs为代表）经过多年的研究，基于此类材料的发光和探测器件已经实现。但这些器件有两个局限：一、它们不能直接耦合正入射光，需要增加复杂的光栅耦合结构；二、这些光电器件与以Si为基础发展起来的成熟微电子工艺并不兼容。而基于Ⅳ族元素的中远红外量子阱红外光电探测器（QWIP）却既可以直接耦合正入射光，又可以直接做在Si读出电路上，实现光电子器件的单片集成。随着人们对Si和SiGe合金研究的深入，P型Si/SiGeQWIP（尤其是张应变Si/SiGeQWIP）将展示出更加诱人的前景。 目前，基于空穴子带跃迁的Si/S...; Quantum well mid-/far- infrared photodetector (QWIP) has attracted extensive interests due to their potential for broad applications in recent decades. In past few years, various lasers and photodetectors have been invented based on Ⅲ-Ⅴ materials (such as GaAs ). But there are two limits for them: first, special optical couplers such as gratings are always required to detect normal incidence; seco...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学; 学号：19820081153033 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=30644 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54876]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金涛. 赝衬底Ge组分对Si/SiGe量子阱子带光跃迁的影响, The influence of the Ge component in pseudosubstrate on the Si/SiGe subband optical transition in quantum well[D]. 2011, 2011. |
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