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| 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文 半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984 作者: 章宇; 陈诺夫; 张芳; 余雯静; 胡文瑞
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| 大尺寸碳化硅晶体生长中的热质传输及缺陷控制研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2021 作者: 朱鹏
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| 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 专利 申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28 作者: 胡小波; 徐现刚; 陈秀芳; 彭燕; 杨祥龙
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| 一种低氮含量SiC单晶生长装置 专利 申请日期: 2019-04-09, 公开日期: 2019-04-09 作者: 胡小波; 徐现刚; 陈秀芳; 彭燕; 杨祥龙
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| Recent development of wide bandgap semiconductor SiC substrates and device [宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展] 期刊论文 Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams, 2019, 卷号: 31, 期号: 4 作者: Xiao L.; Xu X.
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| SiC单晶超精密切削仿真与实验研究 学位论文 : 西安理工大学, 2019 作者: 严俊超
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| 一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用 专利 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26 作者: 胡小波; 徐现刚; 彭燕; 陈秀芳; 杨祥龙
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| 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 专利 申请日期: 2018-09-28, 公开日期: 2018-09-28 作者: 胡小波; 徐现刚; 陈秀芳; 彭燕; 杨祥龙
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| 一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用 专利 申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-09-21 作者: 彭燕; 杨祥龙; 胡小波; 徐现刚; 陈玉峰
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| 一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法 专利 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17 作者: 李康; 张兆星
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