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4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化 期刊论文
半导体技术, 2023, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 977-984
作者:  章宇;  陈诺夫;  张芳;  余雯静;  胡文瑞
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大尺寸碳化硅晶体生长中的热质传输及缺陷控制研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2021
作者:  朱鹏
收藏  |  浏览/下载:89/0  |  提交时间:2021/06/02
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 专利
申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28
作者:  胡小波;  徐现刚;  陈秀芳;  彭燕;  杨祥龙
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/04
一种低氮含量SiC单晶生长装置 专利
申请日期: 2019-04-09, 公开日期: 2019-04-09
作者:  胡小波;  徐现刚;  陈秀芳;  彭燕;  杨祥龙
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/04
Recent development of wide bandgap semiconductor SiC substrates and device [宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展] 期刊论文
Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams, 2019, 卷号: 31, 期号: 4
作者:  Xiao L.;  Xu X.
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SiC单晶超精密切削仿真与实验研究 学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:  严俊超
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/20
一种低氮含量SiC单晶生长装置及其应用 专利
申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者:  胡小波;  徐现刚;  彭燕;  陈秀芳;  杨祥龙
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/04
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚及SiC单晶的生长方法 专利
申请日期: 2018-09-28, 公开日期: 2018-09-28
作者:  胡小波;  徐现刚;  陈秀芳;  彭燕;  杨祥龙
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/04
一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用 专利
申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-09-21
作者:  彭燕;  杨祥龙;  胡小波;  徐现刚;  陈玉峰
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一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法 专利
申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
作者:  李康;  张兆星
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