4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化

	4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化
	章宇 ; 陈诺夫 ; 张芳 ; 余雯静 ; 胡文瑞 ; 陈吉堃
刊名	半导体技术
	2023-08-17
卷号	48 期号:11 页码:977-984
关键词	SiC 湿法腐蚀贯穿型位错位错密度位错缺陷分布
ISSN号	1003-353X
英文摘要	目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀，但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同，腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌，利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片，发现4H-SiC晶片在500℃熔融KOH中腐蚀20 min效果为最优。在此基础上研究分析了半绝缘4H-SiC晶片的贯穿型位错的密度和分布。结果表明，半绝缘型SiC晶片中贯穿型位错密度的分布具有一定的规律性，呈现出从晶片中心区域向晶片边缘处增长的特性，而这可能源于在物理气相传输法下SiC单晶生长不同区域产生的热应力不同。
语种	中文
资助机构	国家自然科学基金资助项目(52073090) ; 国家重点研发计划项目(2021YFA0718901)
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/93654]
专题	力学研究所_国家微重力实验室
作者单位	1.北京科技大学材料科学与工程学院 2.中国科学院力学研究所 3.北京工商大学轻工科学技术学院 4.胡文瑞院士工作站云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 5.华北电力大学新能源学院
推荐引用方式 GB/T 7714	章宇,陈诺夫,张芳,等. 4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化[J]. 半导体技术,2023,48(11):977-984.
APA	章宇,陈诺夫,张芳,余雯静,胡文瑞,&陈吉堃.(2023).4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化.半导体技术,48(11),977-984.
MLA	章宇,et al."4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化".半导体技术 48.11(2023):977-984.