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| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 6, 页码: 688-693
作者: 靳川; 许佳佳; 黄爱波; 徐志成; 周易
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2018/11/20
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| 有机配体包裹金纳米颗粒薄膜制备及其表征 学位论文
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
作者: 程振东
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2017/12/08
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| 一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利
专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者: 岩田雅年; 大鹿嘉和
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23
作者: 舒斌; 吴继宝; 古牧; 范林西; 陈景明
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利
专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24
作者: 李亮; 刘应军; 汤宝; 王任凡
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Si-Ge层状结构的三能级系统光发射 会议论文
中国江苏南京, 2016-06-16
作者: 董泰阁; 黄伟其; 王刚; 吴学科; 黄忠梅
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/02
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| 纳米氮化硅掺杂体系的第一性原理及分子动力学的模拟研究 学位论文
2016
作者: 张珺
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 短脉冲激光对硅及硅基光电器件的损伤效应与机理 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 邵俊峰
收藏 | 浏览/下载：120/0 | 提交时间：2015/11/30
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