| 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 | |
| 岩田雅年; 大鹿嘉和 | |
| 2016-04-13 | |
| 著作权人 | 同和电子科技有限公司 |
| 专利号 | CN105493241A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题，并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于，其具有：至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120)，Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度，且厚度为4～10nm。 |
| 公开日期 | 2016-04-13 |
| 申请日期 | 2014-08-06 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90590]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 同和电子科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩田雅年,大鹿嘉和. 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法. CN105493241A. 2016-04-13. |
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