| 一种Si基大功率激光器及其制备方法 | |
| 李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡 | |
| 2016-12-07 | |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN106207752A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种Si基大功率激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中，制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层，其中，第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度；在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层；在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层，完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构，有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸，从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。 |
| 公开日期 | 2016-12-07 |
| 申请日期 | 2016-08-31 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90342]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亮,刘应军,岳爱文,等. 一种Si基大功率激光器及其制备方法. CN106207752A. 2016-12-07. |
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