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The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain
期刊论文
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/08/09
Binding energy
Calculations
Gallium compounds
Graphene
Ground state
Heterojunctions
III-V semiconductors
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Strain
Thermoelectric equipment
Van der Waals forces
Electronic characteristics
Graphene/GaP
In-plane strains
Interlayer coupling
Layer-spacing
Micro/nano
Nanoelectronic devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
SMALL, 2022, 页码: 7
作者:
Wei, Yu-Ning
;
Hu, Xian-Gang
;
Zhang, Jian-Wei
;
Tong, Bo
;
Du, Jin-Hong
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2022/07/14
carbon nanotube films
Fermi-level pinning
germanium
metal-induced gap states
ohmic contacts
Novel K-doped TiO2 nanotube arrays with superhydrophilic surface and high photoelectrochemical cathodic protection
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 580, 页码: 10
作者:
Ma, Zheng
;
Ma, Xiumin
;
Yang, Lihui
;
Liu, Xuehui
;
Zhong, Zhenyu
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/04/12
Photoelectrochemical cathodic protection
TiO 2
K doping
Superhydrophilic surface
Reconstruction and electronic properties of beta-Li3PS4|Li2S interface
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 10
作者:
Wei, Chengdong
;
Xue, Hongtao
;
Li, Zhou
;
Zhao, Fenning
;
Tang, Fuling
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2022/03/01
first-principles calculations
LPS
Li2S interface
interfacial properties
work-function
space charge layer
2D Violet phosphorene with highly anisotropic mobility and its vdW heterojunction design for device applications
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2022, 卷号: 24
作者:
Xu, Yuehua
;
Long, Qianqian
;
Li, Dongze
;
Li, Pengfei
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/02/21
Hybrid metal/Ga2O3/GaN ultraviolet detector for obtaining low dark current and high responsivity
期刊论文
Optics Letters, 2022, 卷号: 47, 期号: 6, 页码: 1561-1564
作者:
G. S. Huang
;
C. S. Chu
;
L. Guo
;
Z. P. Liu
;
K. Jiang
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2023/06/14
Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer
期刊论文
Small, 2022, 卷号: 18, 期号: 24, 页码: 7
作者:
Y. N. Wei
;
X. G. Hu
;
J. W. Zhang
;
B. Tong
;
J. H. Du
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
Electrical and Optoelectrical Dual-Modulation in Perovskite-Based Vertical Field-Effect Transistors
期刊论文
Acs Photonics, 2022, 页码: 10
作者:
Y. T. Zou
;
Y. R. Shi
;
B. Wang
;
M. X. Liu
;
J. R. An
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2023/06/14
Effects of vertical strain and electric field on the electronic properties and interface contact of graphene/InP vdW heterostructure
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 198
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2021/10/14
Graphene
InP
Heterostructure
Vertical strain
Electric field
Schottky barrier
Turning electronic performance and Schottky barrier of graphene/β-Si3N4 (0001) heterostructure by external strain and electric field
期刊论文
Vacuum, 2021, 卷号: 188
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Luo, Jianhua
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2021/06/03
Optoelectronic devices
Schottky barrier diodes
Van der Waals forces
Electronic performance
Electronics devices
External strains
First principle calculations
Optoelectronics devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Si$-3$/N$-4$
Van der Waal
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