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SEU sensitivity and large spacing TMR efficiency of Kintex-7 and Virtex-7 FPGAs
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 2
作者:
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Fan, Xue
;
Liu, Tianqi
;
Ke, Lingyun
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2021/12/09
Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6
作者:
Ye, Bing
;
Mo, Li-Hua
;
Zhai, Peng-Fei
;
Cai, Li
;
Liu, Tao
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2021/12/09
Flash memories
Linear energy transfer
Single-event upset
Heavy ions
Geant4
Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
Investigation of single event effect in 28-nm system-on-chip with multi patterns*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 5
作者:
Yang, Wei-Tao
;
Li, Yong-Hong
;
Guo, Ya-Xin
;
Zhao, Hao-Yu
;
Li, Yang
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2021/12/15
system-on-chip
heavy ion
single event effect
Evaluation Method of Heavy-Ion-Induced Single-Event Upset in 3D-Stacked SRAMs
期刊论文
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 14
作者:
Zhao, Peixiong
;
Liu, Tianqi
;
Cai, Chang
;
He, Ze
;
Li, Dongqing
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/12/15
Monte-Carlo simulation
single-event upset
test standard
three-dimensional integrated circuits
ultrahigh-energy heavy ion
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Liu, Tian-Qi
;
Ye, Bing
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2018/10/08
flash memories
heavy ions
synergistic effect
total ionizing dose
The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100
作者:
Gu, Song
;
Liu, Jie
;
Bi, Jinshun
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/07/16
Energy dependence
heavy ions
nuclear reactions
silicon-on-insulator (SOI) technology
single event upset (SEU)
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