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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 性能优良的RCA微波功率晶体管 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003 蔡勇; 张利春; 高玉芝; 金海岩; 叶红飞; 张树丹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 微波功率晶体管  多晶硅发射区  氧化层  电流增益   多晶硅RCA晶体管的异质结等效模型 其他 2003-01-01 金海岩; 张利春; 高玉芝; 叶红飞 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 多晶硅  晶体管  异质结等效模型   77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路 期刊论文 半导体学报, 2001 叶红飞; 高玉芝; 金海岩; 罗葵; 宁宝俊; 莫邦燹; 张广勤; 张利春 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 双极器件  RCA晶体管  多晶硅发射区  液氮温度  ECL集成电路   液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路 其他 2001-01-01 叶红飞; 高玉芝; 张广勤; 宁宝俊; 莫邦燹; 罗葵; 张利春 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/11 RCA晶体管  制备工艺  温度特性  多晶硅发射区   掺砷多晶硅发射极RCA晶体管 期刊论文 半导体学报, 2000 张利春; 叶红飞; 金雪林; 高玉芝; 宁宝俊 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 RCA晶体管  多晶硅发射极  掺砷   大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟 期刊论文 固体电子学研究与进展, 1997 郑云光; 郭维廉; 李树荣; 李斌桥; 王阳元; 张利春; 马平西 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/16 多晶硅发射极晶体管  大注入模型  一线模拟   多晶/单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型 期刊论文 半导体学报, 1996 马平西; 张利春; 赵宝瑛; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 多晶/单晶  界面氧化层  多晶硅发射区  双极晶体管  发射区渡越时间  解析模型