大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟

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	大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟
	郑云光 ; 郭维廉 ; 李树荣 ; 李斌桥 ; 王阳元 ; 张利春 ; 马平西
刊名	固体电子学研究与进展
	1997
关键词	多晶硅发射极晶体管大注入模型一线模拟
英文摘要	利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结合实例模拟了在大注入下具有发射区、基区指数掺杂分布的PET的电流增益和频率特性（fT人和fmax）。模拟结果表明，RCA器件（发射区的多晶硅／硅界面氧化层厚度δ=1．4um）的β值高于HF器件（δ=0），但HF器件的fTmax值高于RCA器件。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 01; 60-66
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/404439]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	郑云光,郭维廉,李树荣,等. 大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟[J]. 固体电子学研究与进展,1997.
APA	郑云光.,郭维廉.,李树荣.,李斌桥.,王阳元.,...&马平西.(1997).大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟.固体电子学研究与进展.
MLA	郑云光,et al."大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟".固体电子学研究与进展 (1997).