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	液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路
	叶红飞 ; 高玉芝 ; 张广勤 ; 宁宝俊 ; 莫邦燹 ; 罗葵 ; 张利春
	2001
关键词	RCA晶体管 制备工艺 温度特性 多晶硅发射区
英文摘要	本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.此外,我们还首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器,在室温下工作频率为1.1～1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185966]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	叶红飞,高玉芝,张广勤,等. 液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路. 2001-01-01.

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