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| 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 徐健凯
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2021/06/22 |
| AlGaNGaN异质结构的MOCVD同质外延生长研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 储佳焰
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2021/06/22 |
| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者: 贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2021/07/06
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| 高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 05, 页码: 91-99
作者: 张继业; 张建伟; 曾玉刚; 张俊; 宁永强
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2021/07/06
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| 高品质硅基立式InAs/GaSb异质结纳米线阵列MOCVD自催化生长研究 项目
项目类型: 青年科学基金项目, 项目编号: 61904074, 2020-2022
作者: 王小耶
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/06/10 |
| 一种长波长InP基DFB半导体激光器管芯的制备方法 专利
专利号: CN107248697B, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者: 苏辉; 薛正群; 黄章挺; 吴林福生
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种含有界面δ掺杂的高可靠性激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110148886A, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 不公告发明人
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种DFB半导体激光器芯片 专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者: 薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 贲建伟
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 蒋科
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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