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	一种含有界面δ掺杂的高可靠性激光器及其制备方法
	不公告发明人
	2019-08-20
著作权人	山东华光光电子股份有限公司
专利号	CN110148886A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种含有界面δ掺杂的高可靠性激光器及其制备方法
英文摘要	本发明公开了一种含有界面δ掺杂的高可靠性激光器及其制备方法，本发明利用MOCVD技术(金属有机化合物化学气相沉淀)在GaAs衬底上自下而上依次生长所述GaAs衬底上方自下而上分别设置有GaAs缓冲层、GaxIn1‑xP下过渡层、Al1‑xInxP下限制层、(Al1‑xGax)yIn1‑yP下波导层、Ga1‑xInxP量子阱、(Al1‑xGax)yIn1‑yP上波导层、第一Al1‑xInxP上限制层、第二Al1‑xInxP上限制层、第三Al1‑xInxP上限制层、第四Al1‑xInxP上限制层、Ga1‑xInxP上过渡层和GaAs帽层；其中第一Al1‑xInxP上限制层为δ掺杂结构；与现有生长方法相比，此结构可以保证上限制层较高空穴浓度的同时，减少上限制层与量子阱生长界面Mg的掺杂流量，减少Mg原子向有源区的扩散，提高半导体激光器的高温高可靠性，有利于实现短波长红光激光器的广泛应用。
公开日期	2019-08-20
申请日期	2019-05-27
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55452]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	不公告发明人. 一种含有界面δ掺杂的高可靠性激光器及其制备方法. CN110148886A. 2019-08-20.

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