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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121 作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/10/18 Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor   Modification of band offsets of InGaZnO4/Si heterojunction through nitrogenation treatment 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1035-1039 作者:  J.G. Lv;  X.F. Chen;  Z.Q. Sun;  P.H. Wang;  X.S. Chen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Band  offset  InGaZnO/Si  heterojunctions  X-ray  photoelectron  spectroscopy  Thin  film  transistors   Studies on the application of n-InGaZnO/p-Si heterojunctions in active pixel sensor as photodiode 期刊论文 JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: Vol.16 No.7-8, 页码: 919-924 作者:  Zhang, GL;  Zeng, Y;  Yan, YM;  Leng, YQ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 The current-voltage characteristics of n-InGaZnO/p-Si heterojunctions photodiode 期刊论文 OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: Vol.5 No.9, 页码: 1011-1016 作者:  Zhang, GL;  Zeng, Y;  Yan, YM;  Leng, YQ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 Photodiode  RF magnetron sputtering  Photoelectric effect  Interface state