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150 KeV proton irradiation effects on photoluminescence of GaInAsN bulk and quantum well structures 期刊论文
OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 1-6
作者:  Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, A.)[ 2,3 ];  Sailai, M (Sailai, M.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 2,4 ];  Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2 ]
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Aggregation-Induced Long-Lived Phosphorescence in Nonconjugated Polyurethane Derivatives at 77 K 期刊论文
MACROMOLECULES, 2018, 卷号: 51, 期号: 11, 页码: 4178-4184
作者:  Jiang, Nan;  Li, Guang-Fu;  Zhang, Bao-Hua;  Zhu, Dong-Xia;  Su, Zhong-Min
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垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利号: CN104577711A, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2015-04-29
作者:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  何洋
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一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用 专利
专利号: CN104051957A, 申请日期: 2014-09-17, 公开日期: 2014-09-17
作者:  李鸿强;  崔贝贝;  周文骞;  刘宇
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Efficient and tuneable photoluminescent boehmite hybrid nanoplates lacking metal activator centres for single-phase white LEDs 期刊论文
Nature Communications, 2014, 卷号: 5, 期号: 8
Bai X.; Caputo G.; Hao Z. D.; Freitas V. T.; Zhang J. H.; Longo R. L.; Malta O. L.; Ferreira R. A. S.; Pinna N.
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High power semiconductor device to output light with low-absorbtive facet window 专利
专利号: US20070153857A1, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05
作者:  CHUA, CHRISTOPHER L.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  JOHNSON, NOBLE M.;  KIESEL, PETER
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3938976B2, 申请日期: 2007-04-06, 公开日期: 2007-06-27
作者:  森岡 達也;  大林 健;  高橋 幸司;  池田 裕章
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
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Long wavelength vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US7020172, 申请日期: 2006-03-28, 公开日期: 2006-03-28
作者:  NAONE, RYAN LIKEKE;  JACKSON, ANDREW W.;  CHIROVSKY, LEO M. F.
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Long wavelength vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US6931042, 申请日期: 2005-08-16, 公开日期: 2005-08-16
作者:  CHOQUETTE, KENT D.;  KLEM, JOHN F.
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