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一种InP HBT器件侧墙的制备方法 专利
专利号: CN102244003A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
作者:  金智;  王显泰;  郭建楠;  苏永波
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A new phototransistor with uni-travelling-carrier and optically gradual coupling properties 期刊论文
Opto-electronics review, 2009, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 242-246
作者:  Wang, L.;  Zhao, L.;  Pan, J.;  Zhang, W.;  Wang, H.
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HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/26
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4，1898-1901
作者:  金智;  程伟;  刘新宇;  徐安怀;  齐鸣
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截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 期刊论文
半导体学报, 2008, 期号: 10
金智; 程伟; 刘新宇; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06
新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
艾立鹍
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A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics 会议论文
ieee photonicsglobal at singapore, singapore, singapore, dec 08-11, 2008
Wang, LS; Zhao, LJ; Pan, JQ; Zhang, W; Wang, H; Liang, S; Zhu, HL; Wang, W
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/09
基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT 期刊论文
半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 4,154_158
作者:  王润梅;  于进勇;  苏树兵;  刘新宇;  齐鸣
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Inp  
基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文) 期刊论文
半导体学报, 2007, 期号: 02
于进勇; 刘新宇; 苏树兵; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2012/01/06
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
semiconductor photonics and technology, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 215-217
LIN Tao; CAI Daomin; LI Xianjie; JIANG Li; ZHANG Guangze
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23

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