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稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  雷琪琪
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者:  王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2019/03/26
发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板 专利
专利号: CN108780827A, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2018-11-09
作者:  近藤崇
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
一种基于波导结构的新型光隔离器 专利
专利号: CN104280823B, 申请日期: 2018-04-27, 公开日期: 2018-04-27
作者:  李洵;  朱仲书
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/24
光スイッチ 专利
专利号: JP2018004867A, 申请日期: 2018-01-11, 公开日期: 2018-01-11
作者:  近藤 崇
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/30
発光部品、プリントヘッド及び画像形成装置 专利
专利号: JP2017174907A, 申请日期: 2017-09-28, 公开日期: 2017-09-28
作者:  近藤 崇
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム 专利
专利号: JP2017103460A, 申请日期: 2017-06-08, 公开日期: 2017-06-08
作者:  ダレザッセ ジョン;  クラジュリック スティーブン ビー.
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一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利
专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26
作者:  贾传宇;  张国义;  童玉珍
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垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究 学位论文
2016, 2016
赖萌华
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(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文
工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  董琛
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