テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム | |
ダレザッセ ジョン; クラジュリック スティーブン ビー. | |
2017-06-08 | |
著作权人 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド |
专利号 | JP2017103460A |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム |
英文摘要 | 【課題】高価なIII-V族材料を特定のデバイス機能のみに実装するシリコンフォトニックデバイスをウェハスケールで接合する方法を提供する。 【解決手段】複合半導体構造を製作する方法は、シリコンベースの複数のデバイスを含むSOI基板110を提供する工程及び複数のフォトニックデバイスを含む化合物半導体基板を提供する工程を含む。化合物半導体基板をダイシングして複数のフォトニックダイを提供する工程も含む。各ダイは、複数のフォトニックデバイスのうちの1つまたは複数を含む。当該方法はさらに、アセンブリ基板を提供する工程、アセンブリ基板の所定の部分に複数のフォトニックダイを取り付ける工程、SOI基板とアセンブリ基板とを位置合わせする工程、SOI基板とアセンブリ基板とを連結して複合基板構造物を形成する工程及び複合基板構造物からアセンブリ基板の少なくとも一部を除去する工程を含む。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2017-06-08 |
申请日期 | 2016-12-08 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57524] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ダレザッセ ジョン,クラジュリック スティーブン ビー.. テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム. JP2017103460A. 2017-06-08. |
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