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TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570
作者:
Ren, ZX (Ren, Zhexuan)
;
1An, X (An, Xia) 1
;
Li, GS (Li, Gensong) 1
;
Liu, JY (Liu, Jingyi) 1
;
Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2021/09/22
65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)
The Impact of Self-Heating on HCI Reliability in High-Performance Digital Circuits
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
Jiang, Hai
;
Shin, SangHoon
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhang, Xing
;
Alam, Muhammad Ashraful
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Self-heating
digital circuits
hot carrier injection
reliability
lifetime
MOSFETS
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
余德昭
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2016/09/27
MOSFET
辐射效应
NBTI
可靠性
Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016
作者:
Luo WC(罗维春)
;
Yang H(杨红)
;
Wang WW(王文武)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Zhao C(赵超)
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2017/05/09
Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 133-139
作者:
Yu DZ(余德昭)
;
Zheng QW(郑齐文)
;
Cui JW(崔江维)
;
Zhou H(周航)
;
Yu XF(余学峰)
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2017/10/12
Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 7
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
;
Yu, DZ (Yu, De-Zhao)
;
Yu, XF (Yu, Xue-Feng)
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/12/07
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
作者:
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Yu, XF (Yu Xue-Feng)
;
Guo, Q (Guo Qi)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2016/12/12
silicon-on-insulator
ionizing radiation
hot carriers
Reliability variability simulation methodology for IC design: An EDA perspective
其他
2016-01-01
Zhang, Aixi
;
Huang, Chunyi
;
Guo, Tianlei
;
Chen, Alvin
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Xie, Jushan
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Characterization of Self-heating Leads to Universal Scaling of HCI Degradation of Multi-Fin SOI FinFETs
其他
2016-01-01
Jiang, Hai
;
Shin, SangHoon
;
Liu, Xiaoyan
;
Zhang, Xing
;
Alam, Muhammad Ashraful
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/12/03
Self-heating
Hot carrier injection
Thermal circuit model
universal degradation
Gate-all-around transistors
HOT-CARRIER DEGRADATION
SHORT-CHANNEL TRANSISTORS
TRANSPORT
MOSFETS
DEVICES
NBTI
Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability
其他
2016-01-01
Aanand
;
Sheu, Gene
;
Imam, Syed Sarwar
;
Lu, Shao Wei
;
Aryadeep, Chirag
;
Yang, Shao Ming
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/03
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