CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共332条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/29
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13
Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an
收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2020/12/16
Research on activation mechanism of AlGaN photocathodes in an ultra-high vacuum system 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 卷号: 118, 页码: 5
作者:  G. H. Tang,F. Yan and X. L. Chen
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06
一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜 专利
专利号: CN208970927U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:  于志远;  司智春;  季安;  黄永光
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24
一种产生光子轨道角动量信号的光发射器件 专利
专利号: CN108563041A, 申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-09-21
作者:  孙长征;  张娟;  熊兵;  王健;  罗毅
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Damage to epitaxial GaN layer on Al2O3 by 290-MeV U-238(32+) ions irradiation 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8, 页码: 4121
作者:  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Li, J. J.;  Meng, Y. C.;  Yang, Y. T.
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/05/31
Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:  Ajima, Yoshiaki;  Nakamura, Yuki;  Murakami, Kenta;  Teramoto, Hideo;  Jomen, Ryota
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/27
Opposite change trend of electrical behavior curves near the threshold between GaAs- and GaN-multi-quantum-well laser diodes 期刊论文
Applied Physics B, 2018, 卷号: Vol.124 No.3
作者:  Liefeng Feng;  Shupeng Wang;  Yang Li;  Xiufang Yang;  Ding Li
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21
GaN基激光器的研制及器件物理 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
-
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/06/01

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace