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Bias dependence of total ionizing dose effects in 22 nm bulk nFinFETs
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 177, 期号: 3-4, 页码: 372-382
作者:
Cui, X (Cui, Xu) [1] , [2] , [3]
;
Cui, JW (Cui, Jiang-Wei) [1] , [2] , [3]
;
Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen) [1] , [2] , [3]
;
Wei, Y (Wei, Ying) [1] , [2] , [3]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2] , [3]
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/06/21
FinFET
1/f noise
TlD
CVS
bias dependence
鳍式场效应晶体管及其制造方法
专利
专利号: US9679962, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2016-06-30
作者:
朱慧珑
;
许淼
;
赵利川
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/07/18
Comparative Study on RTN Amplitude in Planar and FinFET Devices
其他
2017-01-01
Zhang, Zexuan
;
Zhang, Zhe
;
Guo, Shaofeng
;
Wang, Runsheng
;
Wang, Xingsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Reliability evaluation of high-performance, low-power FinFET standard cells based on mixed RBB/FBB technique
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2017
Wang Tian
;
Cui Xiaoxin
;
Ni Yewen
;
Liao Kai
;
Liao Nan
;
Yu Dunshan
;
Cui Xiaole
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/12/03
reliability
FinFET
standard cell
low power
VLSI
Reliability evaluation of high-performance, low-power FinFET standard cells based on mixed RBB/FBB technique
期刊论文
半导体学报(英文版), 2017
Tian Wang
;
Xiaoxin Cui
;
Yewen Ni
;
Kai Liao
;
Nan Liao
;
Dunshan Yu
;
Xiaole Cui
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
reliability FinFET standard cell low power VLSI
reliability
FinFET
standard cell
low power
VLSI
Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan
期刊论文
Applied Surface Science, 2016
作者:
Meng LK(孟令款)
;
Hong PZ(洪培真)
;
He XB(贺晓彬)
;
Li CL(李春龙)
;
Li JJ(李俊杰)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/05/09
半导体器件制造方法
专利
专利号: US9425288, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2014-01-09
作者:
钟汇才
;
梁擎擎
;
赵超
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/06/12
Bulk FinFETs with body spacers for improving fin height variation
期刊论文
Solid-State Electronics, 2016
作者:
Wei X(魏星)
;
Zhu HL(朱慧珑)
;
Zhang YB(张严波)
;
Zhao C(赵超)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/09
Nanoscale triple-gate FinFET design considerations based on an analytical model of short-channel effects
期刊论文
2016, 2016
XIE Qian
;
LIANG RenRong
;
WANG Jing
;
LIU LiBin
;
XU Jun
;
XIE Qian
;
LIANG RenRong
;
WANG Jing
;
LIU LiBin
;
XU Jun
收藏
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浏览/下载:6/0
Predictive compact modeling of random variations in FinFET technology for 16/14nm node and beyond
其他
2016-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Xingsheng
;
Wang, Runsheng
;
Cheng, Binjie
;
Asenov, Asen
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
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