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科研机构
北京大学 [2]
北京航空航天大学 [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
其他 [1]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2005 [2]
学科主题
半导体物理 [1]
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ICP刻蚀硅形貌控制研究
期刊论文
传感技术学报, 2011, 卷号: 24, 页码: 200-203
作者:
刘欢
;
周震
;
刘惠兰
;
冯丽爽
;
王坤博
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/06
ICP刻蚀
硅
形貌控制
bowing效应
工艺参数
Elasticity, band structure, and piezoelectricity of BexZn1-xO alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 16, 页码: 2930-2933
Duan, YF
;
Shi, HL
;
Qin, LX
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浏览/下载:80/0
  |  
提交时间:2010/03/08
first-principles
bowing coefficients
piezoelectricity
alloys
elasticity
semiconductor
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
其他
2005-01-01
陈兢
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/11
刻蚀侧壁形貌
电感耦合等离子
深反应离子刻蚀
微机电系统
Notching效应
Bowing效应
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
期刊论文
中国机械工程, 2005
陈兢
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/11
微机电系统
电感耦合等离子(ICP)刻蚀
深反应离子刻蚀(DRIE)
侧壁形貌
Notching效应
Bowing效应
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