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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitride semiconductor laser device 专利 专利号: US8085826, 申请日期: 2011-12-27, 公开日期: 2011-12-27 作者:  TSUDA, YUHZOH;  OHTA, MASATAKA;  FUJISHIRO, YOSHIE 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Effect of AlGaN intermediate layer on residual stress control and surface morphology of GaN grown on 6H-SiC substrate by metal organic vapour phase epitaxy 期刊论文 2010, 2010, OCT Jiang Yang; Luo Yi; Xi Guang-Yi; Wang Lai; Li Hong-Tao; Zhao Wei; Han Yan-Jun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/15 residual stress  surface morphology  SiC substrate  AlGaN intermediate layer  LIGHT-EMITTING-DIODES  BUFFER LAYERS  TEMPERATURE  Physics, Multidisciplinary   AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响 期刊论文 2010, 2010 江洋; 罗毅; 席光义; 汪莱; 李洪涛; 赵维; 韩彦军; Jiang Yang; Luo Yi; Xi Guang-Yi; Wang Lai; Li Hong-Tao; Zhao Wei; Han Yan-Jun 收藏  |  浏览/下载：1/0 Growth of crack-free gan films on si(111) substrate by using al-rich aln buffer layer 期刊论文 Journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 作者:  Lu, Y;  Cong, GW;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12