CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Experimental study on the partial discharge and AC breakdown properties of C4F7N/CO2 mixture 期刊论文
HIGH VOLTAGE, 2019, 卷号: 4, 期号: 1
作者:  Li, Yi;  Zhang, Xiaoxing;  Zhang, Ji;  Fu, Mingli;  Zhuo, Ran
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/05
Design of low noise avalanche photodiode single element detectors and linear arrays through CMOS process 会议论文
作者:  Cheng Zhengxi;  Xu Heliang;  Chen Yongping
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/13
无  
Linear avalanche photodetector based on CMOS process 会议论文
作者:  Ju Guohao;  Cheng Zhengxi;  Chen Yongping
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/13
无  
Partial discharge and breakdown of protrusion on conductor in GIS under oscillating lightning impulses 会议论文
作者:  Zhang, Liang;  Han, Xutao;  Hu, Degui;  Li, Junhao
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19
Influence of Spike Defect on the Impulse Breakdown Characteristics of SF6 Gas Gap in GIS 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION, 2018, 卷号: 25, 页码: 1413-1420
作者:  Liu, Xuandong;  Zhang, Lingli;  Wen, Tao;  Zhang, Qiaogen
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/19
Research on the Detecting Effectiveness of On-site Lightning Impulse Test for GIS Equipment with Insulation Defects 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION, 2018, 卷号: 25, 页码: 551-558
作者:  Wen, Tao;  Zhang, Qiaogen;  Ma, Jingtan;  Liu, Xuandong;  Wu, Zhicheng
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/11/26
Discussion on Lightning Impulse Test Waveform According to Breakdown Characteristics of SF6 Gas Gaps 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION, 2017, 卷号: 24, 页码: 2306-2313
作者:  Wen, Tao;  Zhang, Qiaogen;  Zhang, Lingli;  Ma, Jingtan;  Guo, Can
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/26
铁氧体磁环抑制252 kV GIS中VFTO的试验研究 期刊论文
2016, 2016
关永刚; 郭珮琪; 陈维江; 刘卫东; 段韶峰; 岳功昌; GUAN Yonggang; GUO Peiqi; CHEN Weijiang; LIU Weidong; DUAN Shaofeng; YUE Gongchang
收藏  |  浏览/下载：18/0
硅橡胶电树枝的引发与生长过程 期刊论文
2016, 2016
周远翔; 刘睿; 张云霄; 张旭; 郭大卫; ZHOU Yuanxiang; LIU Rui; ZHANG Yunxiao; ZHANG Xu; GUO Dawei
收藏  |  浏览/下载：4/0
Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1
作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2017/03/11

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace