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| 一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者: 高建峰 ; 白国斌; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 专利
专利号: CN201110138464.5, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2012-11-28
作者: 谢常青; 王晨杰; 霍宗亮; 刘明; 张满红
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| 采用阳极氧化Ta2O5栅介质的低温ITO薄膜晶体管 其他
2014-01-01
邵阳; 肖祥; 张盛东; 王龙彦
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| 高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲; 吕垠轩; 何燕冬; 张钢刚
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| 一种制造半导体器件的方法 专利
专利号: CN200910237545.3, 申请日期: 2013-03-27, 公开日期: 2011-05-18
作者: 王文武; 陈世杰; 王晓磊; 韩楷; 陈大鹏
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| 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 专利
专利号: CN200910077522.0, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2010-07-21
作者: 陈世杰; 王文武; 陈大鹏
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| 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 专利
专利号: CN200910235466.9, 申请日期: 2012-09-05, 公开日期: 2011-05-04
作者: 王文武; 陈大鹏
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| 有机场效应晶体管最新实验研究进展 期刊论文
微纳电子技术, 2012, 期号: 5, 页码: 291-301
作者: 谢吉鹏; 马朝柱; 杨汀; 姚博; 彭应全
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| 超薄氧化锗制备、性质及退火对HfO2/GeO2/Ge MOS结构的影响 学位论文
2012, 2012
路长宝
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| 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质 期刊论文
2012
路长宝; 刘冠洲; 李成; 赖虹凯; 陈松岩
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/05/17
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