一种制造半导体器件的方法

	一种制造半导体器件的方法
	王文武; 陈世杰; 王晓磊; 韩楷; 陈大鹏
	2013-03-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910237545.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后，淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层，之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中，并补偿高k薄膜中的氧空位，从而达到降低高k薄膜中的氧空位，提高高k薄膜质量的目的。本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低，而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiOx界面层的生长，从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT，并满足MOS器件继续按比例缩小的目的。同时，本发明还提供一种根据所述方法获得的半导体器件。
公开日期	2011-05-18
申请日期	2009-11-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15915]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王文武,陈世杰,王晓磊,等. 一种制造半导体器件的方法. CN200910237545.3. 2013-03-27.