一种制造半导体器件的方法 | |
王文武![]() ![]() ![]() | |
2013-03-27 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910237545.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后,淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层,之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中,并补偿高k薄膜中的氧空位,从而达到降低高k薄膜中的氧空位,提高高k薄膜质量的目的。本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低,而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiOx界面层的生长,从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT,并满足MOS器件继续按比例缩小的目的。同时,本发明还提供一种根据所述方法获得的半导体器件。 |
公开日期 | 2011-05-18 |
申请日期 | 2009-11-11 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15915] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文武,陈世杰,王晓磊,等. 一种制造半导体器件的方法. CN200910237545.3. 2013-03-27. |
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