一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 | |
王文武![]() ![]() ![]() | |
2012-09-05 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910235466.9 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法,该方法是在MOS器件加工工艺中,在同一工艺环境中连续制备绝缘界面层和高介电常数栅介质层。利用本发明,不仅可以减少高k栅介质和界面层间由于环境污染引起的缺陷和电荷,而且还可以提高高k栅介质的质量。 |
公开日期 | 2011-05-04 |
申请日期 | 2009-10-14 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14545] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文武,陈大鹏,韩韬,等. 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法. CN200910235466.9. 2012-09-05. |
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