一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法

	一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法
	王文武; 陈大鹏; 韩韬; 王晓磊; 陈世杰
	2012-09-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910235466.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法，该方法是在MOS器件加工工艺中，在同一工艺环境中连续制备绝缘界面层和高介电常数栅介质层。利用本发明，不仅可以减少高k栅介质和界面层间由于环境污染引起的缺陷和电荷，而且还可以提高高k栅介质的质量。
公开日期	2011-05-04
申请日期	2009-10-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14545]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王文武,陈大鹏,韩韬,等. 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法. CN200910235466.9. 2012-09-05.