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| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 专利
专利号: CN110061109A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 张宇; 魏斌
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| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
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| 一种高功率半导体激光器结构 专利
专利号: CN207218000U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者: 韦欣; 徐建人
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| (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏 | 浏览/下载：480/0 | 提交时间：2017/06/05
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| 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 专利
专利号: CN104332545A, 申请日期: 2015-02-04, 公开日期: 2015-02-04
作者: 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
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| 一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2016-03-09
作者: 梁红伟; 刘建勋; 柳阳; 夏晓川; 杜国同
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| 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究 会议论文
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30
作者: 刘建勋; 梁红伟; 夏晓川; 黄火林; 柳阳
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| 背光PIN光电二极管 专利
专利号: CN202405297U, 申请日期: 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29
作者: 秦龙; 唐琦
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响 期刊论文
半导体光电, 2012, 卷号: 33, 期号: 3
作者: 范亚明
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| 碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 马丽丽
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/08/22
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