| 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 | |
| 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光 | |
| 2015-02-04 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104332545A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。 |
| 公开日期 | 2015-02-04 |
| 申请日期 | 2014-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90415]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,乐伶聪,等. 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法. CN104332545A. 2015-02-04. |
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