生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

	生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
	范亚明
刊名	半导体光电
	2012-06-15
卷号	33 期号:3
关键词	GaN MOCVD 生长压力光致发光载流子浓度载流子迁移率
中文摘要	研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成,所制备的材料表现出较好的光学性能。同时,不同生长压力下的GaN薄膜表现出相异的电学性能,即在500Torr下生长的样品通常表现出更高的载流子浓度((4.6～6.4)×1016 cm-3)与更高的迁移率(446～561cm2/(V.s)),而100Torr下生长的样品通常表现为更低的载流子浓度(1.56～3.99)×1016 cm-3与更低迁移率(22.9～202cm2/(V.s))。
语种	中文
公开日期	2013-01-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://58.210.77.100/handle/332007/996]
专题	苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式 GB/T 7714	范亚明. 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响[J]. 半导体光电,2012,33(3).
APA	范亚明.(2012).生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响.半导体光电,33(3).
MLA	范亚明."生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响".半导体光电 33.3(2012).