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短漂移区静电感应晶体管的特性研究 期刊论文
半导体技术, 2013, 期号: 3, 页码: 194-198
作者:  张琳娇;  杨建红;  刘亚虎;  朱延超
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复合结构静电感应晶体管的终端造型 期刊论文
科技信息, 2011, 期号: 25, 页码: 11-12
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复合结构静电感应晶体管的终端造型 期刊论文
科技信息, 2011, 期号: 25, 页码: 11-12
作者:  朱筠;  李思渊
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27
一种新型结构的静电感应晶体管 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 918-922
作者:  唐莹;  刘肃;  李思渊;  吴蓉;  常鹏
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GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 13-17
作者:  郭宝增[1];  师建英[2];  宫娜[3]
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Space Charges Effect of Static Induction Transistor 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 423-428
作者:  Chen JH(陈金伙);  Liu S(刘肃);  Wang YS(王永顺);  Li SY(李思渊);  Zhang FJ(张福甲)
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/28
Analysis on Characteristic of Static Induction Transistor Using Mirror Method 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 258-265
作者:  Hu DQ(胡冬青);  Li SY(李思渊);  Wang YS(王永顺)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/28
用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性 期刊论文
电子学报, 2003, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1121-1124
作者:  郭宝增[1];  孙荣霞[2];  Umberto Ravaioli[3]
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静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究 期刊论文
兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University, 2000, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 37-43
作者:  孟雄晖;  李思渊;  刘瑞喜
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静电感应晶体管高频功率参数的控制 期刊论文
半导体技术, 1999, 期号: 3, 页码: 5
作者:  孟雄晖;  李思渊;  姜岩峰
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