静电感应晶体管高频功率参数的控制 | |
孟雄晖; 李思渊; 姜岩峰 | |
刊名 | 半导体技术
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1999-06-13 | |
期号 | 3页码:5 |
关键词 | SIT 高频 功率增益 封装 |
其他题名 | 静电感应晶体管高频功率参数的控制 |
中文摘要 | 以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102236] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟雄晖,李思渊,姜岩峰. 静电感应晶体管高频功率参数的控制[J]. 半导体技术,1999(3):5. |
APA | 孟雄晖,李思渊,&姜岩峰.(1999).静电感应晶体管高频功率参数的控制.半导体技术(3),5. |
MLA | 孟雄晖,et al."静电感应晶体管高频功率参数的控制".半导体技术 .3(1999):5. |
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