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静电感应晶体管高频功率参数的控制
孟雄晖; 李思渊; 姜岩峰
刊名半导体技术
1999-06-13
期号3页码:5
关键词SIT 高频 功率增益 封装
其他题名静电感应晶体管高频功率参数的控制
中文摘要以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨。
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102236]  
专题物理科学与技术学院_期刊论文
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GB/T 7714
孟雄晖,李思渊,姜岩峰. 静电感应晶体管高频功率参数的控制[J]. 半导体技术,1999(3):5.
APA 孟雄晖,李思渊,&姜岩峰.(1999).静电感应晶体管高频功率参数的控制.半导体技术(3),5.
MLA 孟雄晖,et al."静电感应晶体管高频功率参数的控制".半导体技术 .3(1999):5.
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