短漂移区静电感应晶体管的特性研究

	短漂移区静电感应晶体管的特性研究
	张琳娇; 杨建红; 刘亚虎; 朱延超
刊名	半导体技术
	2013-03-03
期号	3 页码:194-198
关键词	静电感应晶体管(SIT) 短漂移区势垒 I-V特性响应时间
其他题名	短漂移区静电感应晶体管的特性研究
中文摘要	为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/102925]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张琳娇,杨建红,刘亚虎,等. 短漂移区静电感应晶体管的特性研究[J]. 半导体技术,2013(3):194-198.
APA	张琳娇,杨建红,刘亚虎,&朱延超.(2013).短漂移区静电感应晶体管的特性研究.半导体技术(3),194-198.
MLA	张琳娇,et al."短漂移区静电感应晶体管的特性研究".半导体技术 .3(2013):194-198.